IRF3415S
Купить со склада от 145,00 рубТранзистор: N-MOSFET, полевой, 150В, 43А, 3,8Вт, D2PAK, HEXFET®
Техническая документация:
Другие
названия этого товара:
названия этого товара:
Аналоги товара:
Масса товара:
1.55 грамм
Анализ рынка IRF3415S@INFIN - доступность и цена со складов и из производства:
Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
(р.д.)
Наличие,
шт.
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
опт
Склад
Сегодня
123
от 123
300,00 p
Склад
1-2
122
от 100
154,00 p
Склад
22
588
от 500
182,00 p
Склад
26
876
от 800
255,00 p
Склад
26
1373
от 1000
281,00 p
Склад
1-2
122
от 100
154,00 p
Технические характеристики IRF3415S
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Manufacturer
Infineon Technologies
Series
HEXFETВ®
Packaging
Tape & Reel (TR)
Part Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
150V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
43A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
42mOhm @ 22A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250ВµA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
200nC @ 10V
Vgs (Max)
В±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2400pF @ 25V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
3.8W (Ta), 200W (Tc)
Operating Temperature
-55В°C ~ 175В°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
D2PAK
Package Case
TO-263-3, DВІPak (2 Leads + Tab), TO-263AB
обновлено 26-04-2024
Москва
+7-495-649-84-45
Элитан
ООО Элитан Трейд
94906
RU
1 DAY
Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:
Минимальная цена: 145.00RUB руб. Купить
Доступное количество: 13370 шт.
IRF3415S%40INFIN