Товаров: 5 043 324 от 3243
изготовителей. Прайс обновлен: 2024-04-18 06:48
IRF530NS
Купить со склада от 52,70 рубТранзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 17А, 3,8Вт, D2PAK, HEXFET®
Техническая документация:
Другие
названия этого товара:
названия этого товара:
Аналоги товара:
Масса товара:
2 грамм
Анализ рынка IRF530NS@INFIN - доступность и цена со складов и из производства:
Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
(р.д.)
Наличие,
шт.
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
опт
Склад
27
6400
от 2400
67,90 p
Склад
27
6493
от 1000
155,00 p
Склад
27
1693
от 1000
91,90 p
Склад
29
2400
от 1600
119,00 p
Склад
26
5815
от 5600
97,60 p
Склад
1-2
56
от 30
52,70 p
Технические характеристики IRF530NS
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
MOSFET
Manufacturer
Infineon
RoHS
Details
Technology
Si
Mounting Style
SMDSMT
Package Case
TO-252-3
Number of Channels
1 Channel
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
100 V
Id - Continuous Drain Current
17 A
Rds On - Drain-Source Resistance
90 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage
20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
4 V
Qg - Gate Charge
37 nC
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Packaging
Reel
Brand
Infineon Technologies
Configuration
Single
Fall Time
25 ns
Forward Transconductance - Min
12 S
Height
2.3 mm
Length
6.5 mm
Pd - Power Dissipation
3.8 W
Rise Time
22 ns
Factory Pack Quantity
1600
Transistor Type
1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time
35 ns
Typical Turn-On Delay Time
9.2 ns
Width
6.22 mm
обновлено 17-04-2024
Москва
+7-495-649-84-45
Элитан
ООО Элитан Трейд
94956
RU
1 DAY
Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:
Минимальная цена: 52.70RUB руб. Купить
Доступное количество: 96312 шт.
IRF530NS%40INFIN