IRF530NS

Купить со склада от 0,00 руб
продукт морально устарел Изготовитель сообщает: продукт морально устарел, снят с производства. Не используйте в разработках - скоро исчезнет с рынка.
Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRF530NS@INFIN PDF даташит
Масса товара:
2 грамм
IRF530NS фото 1 IRF530NS фото 1
IRF530NS фото 2 IRF530NS фото 2
IRF530NS фото 3 IRF530NS фото 3
IRF530NS
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IRF530NS
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
BrandSeries
HEXFET® Series
Capacitance, Input
920 pF &&64; 25 V
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Configuration
Single
Current, Drain
17 A
Dimensions
10.67 x 9.65 x 4.83 mm
Gate Charge, Total
37 nC
Height
4.83 mm
Length
10.67 mm
Mounting Type
Surface Mount
Number of Elements per Chip
1
Number of Pins
3
Package Type
D2PAK
Polarization
N-Channel
Power Dissipation
70 W
Resistance, Drain to Source On
90 mΩ
Temperature, Operating, Maximum
+175 °C
Temperature, Operating, Minimum
-55 °C
Temperature, Operating, Range
-55 to +175 °C
Time, Turn-Off Delay
35 ns
Time, Turn-On Delay
9.2 ns
Transconductance, Forward
12 S
Typical Gate Charge @ Vgs
Maximum of 37 nC &&64; 10 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source
100 V
Voltage, Diode Forward
1.3 V
Voltage, Drain to Source
100 V
Voltage, Forward, Diode
1.3 V
Voltage, Gate to Source
±20 V
Width
9.65 mm
обновлено 2017-07-23 07:30:54
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 94956 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 0.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 219296 шт.

IRF530NS%40INFIN