IRF540NS

Купить со склада от 35,70 руб

Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 33А, 3,8Вт, D2PAK, HEXFET®

Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
Масса товара:
4.86 грамм
IRF540NS

Анализ рынка IRF540NS@INFIN - доступность и цена со складов и из производства:

Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
Наличие,
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
Склад
Сегодня
348
от 100
143,00 p
Склад
1-2
3058
от 800
45,80 p
Склад
1-2
940
от 700
35,70 p
Склад
4
1132
от 1000
50,00 p
Склад
26
18264
от 5600
114,00 p
Склад
8
1132
от 1000
57,30 p

Технические характеристики IRF540NS

Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Manufacturer
Infineon Technologies
Series
HEXFETВ®
Packaging
Tube
Part Status
Discontinued at Digi-Key
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
33A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
44 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250ВµA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
71nC @ 10V
Vgs (Max)
В±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1960pF @ 25V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
130W (Tc)
Operating Temperature
-55В°C ~ 175В°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
D2PAK
Package Case
TO-263-3, DВІPak (2 Leads + Tab), TO-263AB
обновлено 24-03-2024
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 94963 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 35.70RUB руб. Купить

Доступное количество: 72618 шт.

IRF540NS%40INFIN