IRF540NS

Купить со склада от 0,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRF540NS@INFIN PDF даташит
Масса товара:
3 грамм
IRF540NS фото 1 IRF540NS фото 1
IRF540NS фото 2 IRF540NS фото 2
IRF540NS фото 3 IRF540NS фото 3
IRF540NS
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IRF540NS
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Category
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Configuration
Single
Dimensions
10.67 x 9.65 x 4.83 mm
Forward Diode Voltage
1.2 V
Forward Transconductance
21 S
Height
4.83 mm
Length
10.67 mm
Maximum Continuous Drain Current
33 A
Maximum Drain Source Resistance
44 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Maximum Power Dissipation
130 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Mounting Type
Surface Mount
Number of Elements per Chip
1
Operating Temperature Range
-55 to +175 °C
Package Type
D2PAK
Pin Count
3
Series
HEXFET® Series
Typical Gate Charge @ Vgs
Maximum of 71 nC &&64; 10 V
Typical Input Capacitance @ Vds
1960 pF &&64; 25 V
Typical Turn On Delay Time
11 ns
Typical TurnOff Delay Time
39 ns
Width
9.65 mm
обновлено 2017-03-05 09:03:52
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 94963 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 0.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 482579 шт.

IRF540NS%40INFIN