MJD31CT4-A
Купить со склада от 84,80 рубTRANSISTOR, NPN, 100V, 3A, TO-252; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:100V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:15W; DC Collector Current:3A; DC Current Gain hFE:10hFE; Transistor Cas
Техническая документация:
Аналоги товара:
Масса товара:
0.4 грамм
Анализ рынка MJD31CT4-A@ST - доступность и цена со складов и из производства:
Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
(р.д.)
Наличие,
шт.
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
опт
Склад
Сегодня
8
от 2
425,00 p
Склад
26
1986
от 1000
84,80 p
Склад
26
3017
от 2500
86,90 p
Склад
27
12570
от 10000
84,80 p
Склад
Склад
28
4380
от 2500
90,60 p
Технические характеристики MJD31CT4-A
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
Bipolar Transistors - BJT
Manufacturer
STMicroelectronics
RoHS
Details
Mounting Style
SMDSMT
Package Case
TO-252-3
Transistor Polarity
NPN
Configuration
Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
100 V
Collector- Base Voltage VCBO
100 V
Emitter- Base Voltage VEBO
5 V
Maximum DC Collector Current
3 A
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Series
500V Transistors
Brand
STMicroelectronics
Height
2.4 mm (Max)
Length
6.6 mm (Max)
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Packaging
Reel
Pd - Power Dissipation
15000 mW
Factory Pack Quantity
2500
Width
6.2 mm (Max)
обновлено 26-04-2024
Москва
+7-495-649-84-45
Элитан
ООО Элитан Трейд
3358148
RU
1 DAY
Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:
Минимальная цена: 84.80RUB руб. Купить
Доступное количество: 28350 шт.
MJD31CT4-A%40ST