MJD31CT4G

Купить со склада от 0,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 ON Semiconductor
Техническая документация:
PDF MJD31CT4G@ONS PDF даташит
Другие
названия этого товара:
MJD31CT4G фото 1 MJD31CT4G фото 1
MJD31CT4G фото 2 MJD31CT4G фото 2
MJD31CT4G фото 3 MJD31CT4G фото 3
MJD31CT4G
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики MJD31CT4G
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
Bipolar Transistors - BJT
Manufacturer
ON Semiconductor
RoHS
Details
Mounting Style
SMDSMT
Package Case
TO-252-3
Transistor Polarity
NPN
Configuration
Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
100 V
Collector- Base Voltage VCBO
100 V
Emitter- Base Voltage VEBO
5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.2 V
Maximum DC Collector Current
3 A
Gain Bandwidth Product fT
3 MHz
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Series
MJD31C
Brand
ON Semiconductor
Continuous Collector Current
3 A
DC CollectorBase Gain hfe Min
25
Height
2.38 mm
Length
6.73 mm
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Packaging
Reel
Pd - Power Dissipation
1.56 W
Factory Pack Quantity
2500
Width
6.22 mm
обновлено 2017-07-23 07:31:51
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 510457 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 0.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 317481 шт.

MJD31CT4G%40ONS