PSMN015-100P

Купить со склада от 0,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 NXP Semiconductors
Техническая документация:
PDF PSMN015-100P@NXP PDF даташит
Другие
названия этого товара:
PSMN015-100P фото 1 PSMN015-100P фото 1
PSMN015-100P фото 2 PSMN015-100P фото 2
PSMN015-100P фото 3 PSMN015-100P фото 3
PSMN015-100P
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики PSMN015-100P
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Standard Package
50
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Manufacturer
Nexperia USA Inc.
Series
TrenchMOS™
Packaging
Tube
Part Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
90nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4900pF @ 25V
Vgs (Max)
±20V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
15 mOhm @ 25A, 10V
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220AB
Package Case
TO-220-3
обновлено 2017-07-23 07:31:12
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 279478 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 0.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 24952 шт.

PSMN015-100P%40NXP