IRF8010

Купить со склада от 45,40 руб
Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRF8010@INFIN PDF даташит
Масса товара:
3 грамм
IRF8010 фото 1 IRF8010 фото 1
IRF8010 фото 2 IRF8010 фото 2
IRF8010 фото 3 IRF8010 фото 3
IRF8010
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IRF8010
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Category
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Configuration
Dual Drain
Dimensions
10.54 x 4.69 x 8.77 mm
Forward Diode Voltage
1.3 V
Forward Transconductance
82 V
Height
8.77 mm
Length
10.54 mm
Maximum Continuous Drain Current
80 A
Maximum Drain Source Resistance
15 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Maximum Power Dissipation
260 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Mounting Type
Through Hole
Number of Elements per Chip
1
Operating Temperature Range
-55 to +175 °C
Package Type
TO-220AB
Pin Count
3
Series
HEXFET® Series
Typical Gate Charge @ Vgs
81 nC &&64; 10 V
Typical Input Capacitance @ Vds
3830 pF &&64; 25 V
Typical Turn On Delay Time
15 ns
Typical TurnOff Delay Time
61 ns
Width
4.69 mm
обновлено 2017-03-05 09:03:52
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 95176 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 45.40RUB руб. Купить

Доступное количество: 14068 шт.

IRF8010%40INFIN