IRFB42N20D

Купить со склада от 77,60 руб
Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRFB42N20D@INFIN PDF даташит
Другие
названия этого товара:
Масса товара:
0 грамм
IRFB42N20D фото 1 IRFB42N20D фото 1
IRFB42N20D фото 2 IRFB42N20D фото 2
IRFB42N20D фото 3 IRFB42N20D фото 3
IRFB42N20D
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IRFB42N20D
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Category
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Configuration
Single
Dimensions
10.54 x 4.69 x 15.24 mm
Forward Diode Voltage
1.3 V
Forward Transconductance
21 S
Height
15.24 mm
Length
10.54 mm
Maximum Continuous Drain Current
44 A
Maximum Drain Source Resistance
0.055 Ω
Maximum Drain Source Voltage
200 V
Maximum Gate Source Voltage
± 30 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Maximum Power Dissipation
330 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Mounting Type
Through Hole
Number of Elements per Chip
1
Operating Temperature Range
-55 to +175 °C
Package Type
TO-220AB
Pin Count
3
Series
HEXFET® Series
Typical Gate Charge @ Vgs
91 nC &&64; 10 V
Typical Input Capacitance @ Vds
3430 pF &&64; 25 V
Typical Turn On Delay Time
29 ns
Typical TurnOff Delay Time
29 ns
Width
4.69 mm
обновлено 2017-03-05 09:03:52
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 95264 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 77.60RUB руб. Купить

Доступное количество: 11875 шт.

IRFB42N20D%40INFIN