IRF7811AV

Купить со склада от 0,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRF7811AV@INFIN PDF даташит
Другие
названия этого товара:
IRF7811AV фото 1 IRF7811AV фото 1
IRF7811AV фото 2 IRF7811AV фото 2
IRF7811AV фото 3 IRF7811AV фото 3
IRF7811AV
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IRF7811AV
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
BrandSeries
HEXFET® Series
Capacitance, Input
1801 pF &&64; 10 V
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Configuration
Quad Drain, Triple Source
Current, Drain
11.8 A
Dimensions
5.00 x 4.00 x 1.50 mm
Gate Charge, Total
17 nC
Height
1.5 mm
Length
5 mm
Mounting Type
Surface Mount
Number of Elements per Chip
1
Number of Pins
8
Package Type
SO-8
Polarization
N-Channel
Power Dissipation
3 W
Resistance, Drain to Source On
14 mΩ
Temperature, Operating, Maximum
+150 °C
Temperature, Operating, Minimum
-55 °C
Temperature, Operating, Range
-55 to +150 °C
Time, Turn-Off Delay
43 ns
Time, Turn-On Delay
8.6 ns
Typical Gate Charge @ Vgs
17 nC &&64; 5.0 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source
30 V
Voltage, Diode Forward
1.3 V
Voltage, Drain to Source
30 V
Voltage, Forward, Diode
1.3 V
Voltage, Gate to Source
±20 V
Width
4 mm
обновлено 2017-07-27 11:00:16
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 95170 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 0.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 83201 шт.

IRF7811AV%40INFIN