IRF7342

Купить со склада от 16,10 руб
Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRF7342@INFIN PDF даташит
Масса товара:
0 грамм
IRF7342 фото 1 IRF7342 фото 1
IRF7342 фото 2 IRF7342 фото 2
IRF7342 фото 3 IRF7342 фото 3
IRF7342
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IRF7342
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Category
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
P
Configuration
Dual Drain
Dimensions
5.00 x 4.00 x 1.50 mm
Forward Diode Voltage
-1.2 V
Forward Transconductance
3.3 S
Height
1.5 mm
Length
5 mm
Maximum Continuous Drain Current
-3.4 A
Maximum Drain Source Resistance
0.17 Ω
Maximum Drain Source Voltage
-55 V
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Maximum Power Dissipation
2 W
Minimum Operating Temperature
-50 °C
Mounting Type
Surface Mount
Number of Elements per Chip
2
Operating Temperature Range
-50 to +150 °C
Package Type
SO-8
Pin Count
8
Series
HEXFET® Series
Typical Gate Charge @ Vgs
26 nC &&64; -10 V
Typical Input Capacitance @ Vds
690 pF &&64; -25 V
Typical Turn On Delay Time
14 ns
Typical TurnOff Delay Time
43 ns
Width
4 mm
обновлено 2017-03-05 09:03:52
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 95070 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 16.10RUB руб. Купить

Доступное количество: 302642 шт.

IRF7342%40INFIN