IRF7311

Купить со склада от 0,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRF7311@INFIN PDF даташит
Масса товара:
0 грамм
IRF7311 фото 1 IRF7311 фото 1
IRF7311 фото 2 IRF7311 фото 2
IRF7311 фото 3 IRF7311 фото 3
IRF7311
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IRF7311
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Category
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Configuration
Dual Drain
Dimensions
5.00 x 4.00 x 1.50 mm
Forward Diode Voltage
1 V
Forward Transconductance
20 S
Height
1.5 mm
Length
5 mm
Maximum Continuous Drain Current
6.6 A
Maximum Drain Source Resistance
0.046 Ω
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Maximum Gate Source Voltage
±12 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Maximum Power Dissipation
2 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Mounting Type
Surface Mount
Number of Elements per Chip
2
Operating Temperature Range
-55 to +150 °C
Package Type
SO-8
Pin Count
8
Series
HEXFET® Series
Typical Gate Charge @ Vgs
18 nC &&64; 4.5 V
Typical Input Capacitance @ Vds
900 pF &&64; 15 V
Typical Turn On Delay Time
8.1 ns
Typical TurnOff Delay Time
38 ns
Width
4 mm
обновлено 2017-03-05 09:03:52
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 95053 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 0.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 83790 шт.

IRF7311%40INFIN