IRF7311

Купить со склада от 19,80 руб
Worldwide (495)649-84-45 Infineon Technologies
Техническая документация:
PDF IRF7311@INFIN PDF даташит
Другие
названия этого товара:
IRF7311 фото 1 IRF7311 фото 1
IRF7311 фото 2 IRF7311 фото 2
IRF7311 фото 3 IRF7311 фото 3
IRF7311
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IRF7311
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
MOSFET
Manufacturer
Infineon
RoHS
Details
Technology
Si
Mounting Style
SMDSMT
Package Case
SO-8
Number of Channels
2 Channel
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
20 V
Id - Continuous Drain Current
6.6 A
Rds On - Drain-Source Resistance
29 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage
12 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
0.7 V
Qg - Gate Charge
18 nC
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Packaging
Tube
Channel Mode
Enhancement
Brand
Infineon Technologies
Configuration
Dual
Fall Time
31 ns
Forward Transconductance - Min
20 S
Height
1.75 mm
Length
4.9 mm
Pd - Power Dissipation
2 W
Rise Time
17 ns
Factory Pack Quantity
3800
Transistor Type
2 N-Channel
Type
HEXFET Power MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time
38 ns
Typical Turn-On Delay Time
8.1 ns
Width
3.9 mm
Unit Weight
0.019048 oz
обновлено 2017-07-23 07:30:55
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 95053 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 19.80RUB руб. Купить

Доступное количество: 134493 шт.

IRF7311%40INFIN