MBT3906DW1T1G

Купить со склада от 0,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 ON Semiconductor
Техническая документация:
PDF MBT3906DW1T1G@ONS PDF даташит
Другие
названия этого товара:
MBT3906DW1T1G фото 1 MBT3906DW1T1G фото 1
MBT3906DW1T1G фото 2 MBT3906DW1T1G фото 2
MBT3906DW1T1G фото 3 MBT3906DW1T1G фото 3
MBT3906DW1T1G
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики MBT3906DW1T1G
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
Bipolar Transistors - BJT
Manufacturer
ON Semiconductor
RoHS
Details
Mounting Style
SMDSMT
Package Case
SOT-363-6
Transistor Polarity
PNP
Configuration
Dual
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
- 40 V
Collector- Base Voltage VCBO
- 40 V
Emitter- Base Voltage VEBO
5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
- 0.4 V
Maximum DC Collector Current
0.2 A
Gain Bandwidth Product fT
250 MHz
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Series
MBT3906DW1
Brand
ON Semiconductor
Continuous Collector Current
- 200 mAdc
DC CollectorBase Gain hfe Min
60
Height
1 mm
Length
2.2 mm
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Packaging
Reel
Pd - Power Dissipation
150 mW
Factory Pack Quantity
3000
Width
1.35 mm
Part # Aliases
MBT3906DW1T2G
Unit Weight
0.000212 oz
обновлено 2017-07-23 07:31:51
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 509982 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 0.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 1071953 шт.

MBT3906DW1T1G%40ONS