APT80GP60B2G

Купить со склада от 2223,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 Microsemi
Техническая документация:
PDF APT80GP60B2G@MICROSEMI PDF даташит
APT80GP60B2G фото 1 APT80GP60B2G фото 1
APT80GP60B2G фото 2 APT80GP60B2G фото 2
APT80GP60B2G фото 3 APT80GP60B2G фото 3
APT80GP60B2G
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики APT80GP60B2G
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
IGBT Modules
Manufacturer
Microsemi
RoHS
Details
Product
IGBT Silicon Modules
Configuration
Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.2 V
Continuous Collector Current at 25 C
100 A
Gate-Emitter Leakage Current
+- 100 nA
Pd - Power Dissipation
1.041 kW
Package Case
T-Max-3
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Brand
Microsemi
Maximum Gate Emitter Voltage
+- 20 V
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Mounting Style
Through Hole
Factory Pack Quantity
22
обновлено 2017-07-27 11:00:42
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 347101 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 2223.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 36 шт.

APT80GP60B2G%40MICROSEMI