MJD112T4

Купить со склада от 43,20 руб

Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 2 А, 20 Вт

Worldwide (495)649-84-45 STMicroelectronics
Техническая документация:
Масса товара:
0.3779 грамм
MJD112T4

Анализ рынка MJD112T4@ST - доступность и цена со складов и из производства:

Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
Наличие,
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
Склад
Сегодня
107
от 100
94,20 p
Склад
1-2
1570
от 1000
56,00 p
Склад
26
2157
от 1000
71,80 p
Склад
27
10000
от 10000
43,20 p
Склад
 
Склад
32
2592
от 2500
47,50 p

Технические характеристики MJD112T4

Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Collector Current (DC) (Max)
4 A
Collector-Base Voltage (Max)
100 V
Collector-Emitter Voltage
100(V)
Collector-Emitter Saturation Voltage
2(V)
Emitter-Base Voltage (Max)
5 V
Mounting
Surface Mount
Operating Temp Range
-65C to 150C
Package Type
DPAK
Packaging
Tape and Reel
Pin Count
2 +Tab
Polarity
NPN
Number of Elements
1
Operating Temperature Classification
Military
Base-Emitter Saturation Voltage (Max)
4(V)
Rad Hardened
No
Collector-Base Voltage(Max)
100 V
Collector-Base Voltage
100(V)
Emitter-Base Voltage
5(V)
DC Current Gain
200
Collector Current (DC)
2(A)
Power Dissipation
20(W)
Configuration
Single
Maximum Collector Cut-off Current
20
обновлено 26-04-2024
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 107112 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 43.20RUB руб. Купить

Доступное количество: 18293 шт.

MJD112T4%40ST