MJD112G

Купить со склада от 43,30 руб

Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 2 А, 20Вт

Worldwide (495)649-84-45 ON Semiconductor
Техническая документация:
Другие
названия этого товара:
Масса товара:
0.3825 грамм
MJD112G

Анализ рынка MJD112G@ONS - доступность и цена со складов и из производства:

Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
Наличие,
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
Склад
Сегодня
1656
от 1000
57,40 p
Склад
1-2
580
от 300
51,60 p
Склад
1-2
1960
от 1000
57,90 p
Склад
26
4796
от 1000
43,30 p
Склад
28
22443
от 9900
44,00 p
Склад
28
27893
от 10000
48,80 p

Технические характеристики MJD112G

Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
Darlington Transistors
Manufacturer
ON Semiconductor
RoHS
Details
Configuration
Single
Transistor Polarity
NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
100 V
Emitter- Base Voltage VEBO
5 V
Collector- Base Voltage VCBO
100 V
Maximum DC Collector Current
2 A
Maximum Collector Cut-off Current
20 uA
Pd - Power Dissipation
20 W
Mounting Style
SMDSMT
Package Case
TO-252-3 (DPAK)
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Series
MJD112
Packaging
Tube
Brand
ON Semiconductor
Continuous Collector Current
2 A
DC CollectorBase Gain hfe Min
1000
DC Current Gain hFE Max
12000
Height
2.38 mm
Length
6.73 mm
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Factory Pack Quantity
75
Width
6.22 mm
обновлено 24-03-2024
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 107111 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 43.30RUB руб. Купить

Доступное количество: 71263 шт.

MJD112G%40ONS