IXDH30N120D1

Купить со склада от 550,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 IXYS
Техническая документация:
PDF IXDH30N120D1@IXYS PDF даташит
IXDH30N120D1 фото 1 IXDH30N120D1 фото 1
IXDH30N120D1 фото 2 IXDH30N120D1 фото 2
IXDH30N120D1 фото 3 IXDH30N120D1 фото 3
IXDH30N120D1
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IXDH30N120D1
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
IGBT Transistors
Manufacturer
IXYS
RoHS
Details
Configuration
Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1.2 kV
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.4 V
Maximum Gate Emitter Voltage
+- 20 V
Continuous Collector Current at 25 C
60 A
Gate-Emitter Leakage Current
500 nA
Pd - Power Dissipation
300 W
Mounting Style
Through Hole
Package Case
TO-247-3
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Packaging
Tube
Brand
IXYS
Continuous Collector Current
60 A
Continuous Collector Current Ic Max
76 A
Height
21.46 mm
Length
16.26 mm
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Operating Temperature Range
- 55 C to + 150 C
Series
IXDH30N120
Factory Pack Quantity
30
Technology
Si
Width
5.3 mm
Unit Weight
0.229281 oz
обновлено 2017-07-23 07:30:55
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 97071 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 550.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 535 шт.

IXDH30N120D1%40IXYS