IRFSL9N60A

Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-262

Worldwide (495)649-84-45 Vishay Intertechnology
Техническая документация:
Другие
названия этого товара:
IRFSL9N60A

Анализ рынка IRFSL9N60A@VISHAY - доступность и цена со складов и из производства:

Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
Наличие,
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 

Технические характеристики IRFSL9N60A

Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Manufacturer
Vishay Siliconix
Series
-
Packaging
Tube
Part Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
9.2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
750 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250ВµA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
49nC @ 10V
Vgs (Max)
В±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1400pF @ 25V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
170W (Tc)
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
I2PAK
Package Case
TO-262-3 Long Leads, IВІPak, TO-262AA
обновлено 27-04-2024
IRFSL9N60A%40VISHAY