2N5886G

TRANSISTOR, NPN, TO-3; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:80V; Transition Frequency ft:4MHz; Power Dissipation Pd:200W; DC Collector Current:25A; DC Current Gain hFE:4hFE; Transistor Case Style:TO-204AA; No. of Pins:2Pins; Operating Temperature Max:200°C; Product Range:2NXXXX Series; Automotive Qualification Standard:-; MSL:-; SVHC:Lead (27-Jun-2018); Av Current Ic:25A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1V; Continuous Collector Current Ic Max:25A; Current Ic Continuous a Max:25A; Current Ic hFE:10A; Device Marking:2N5886G; Full Power Rating Temperature:25°C; Gain Bandwidth ft Min:4MHz; Gain Bandwidth ft Typ:4MHz; Hfe Min:20; No. of Transistors:1; Operating Temperature Min:-65°C; Operating Temperature Range:-65°C to +200°C; Power Dissipation Ptot Max:200W; Voltage Vcbo:80V

Worldwide (495)649-84-45 ON Semiconductor
Техническая документация:
Аналоги товара:
2N5886G

Анализ рынка 2N5886G@ONS - доступность и цена со складов и из производства:

Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
Наличие,
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
2N5886G%40ONS