IXFX55N50

Купить со склада от 1540.00 руб
Worldwide (495)649-84-45 IXYS
Масса товара:
0 грамм
IXFX55N50 фото 1 IXFX55N50 фото 1
IXFX55N50 фото 2 IXFX55N50 фото 2
IXFX55N50 фото 3 IXFX55N50 фото 3
IXFX55N50
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IXFX55N50
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Category
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Technology
HiperFET
Channel Type
N
Number of Elements per Chip
1
Maximum Drain Source Voltage - (V)
500
Maximum Gate Source Voltage - (V)
?20
Maximum Continuous Drain Current - (A)
50
Material
Si
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm)
100@10V
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC)
330@10V
Typical Gate Charge @ 10V - (nC)
330
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF)
9400@25V
Maximum Power Dissipation - (mW)
560000
Minimum Operating Temperature - (?C)
-55
Maximum Operating Temperature - (?C)
150
Pin Count
3
Supplier Package
PLUS 247
Package Family Name
PLUS 247
Standard Package Name
PLUS 247
Life Cycle
NRND
Automotive
Unknown
обновлено 2017-01-11 13:42:25
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 97435 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 1540.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 115 шт.

IXFX55N50%40IXYS