IXTP3N120

Купить со склада от 174,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 IXYS
Техническая документация:
PDF IXTP3N120@IXYS PDF даташит
IXTP3N120 фото 1 IXTP3N120 фото 1
IXTP3N120 фото 2 IXTP3N120 фото 2
IXTP3N120 фото 3 IXTP3N120 фото 3
IXTP3N120
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IXTP3N120
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
MOSFET
Manufacturer
IXYS
RoHS
Details
Technology
Si
Mounting Style
Through Hole
Package Case
TO-220-3
Number of Channels
1 Channel
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
1100 V
Id - Continuous Drain Current
3 A
Rds On - Drain-Source Resistance
4.5 Ohms
Vgs - Gate-Source Voltage
20 V
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Packaging
Tube
Channel Mode
Enhancement
Brand
IXYS
Configuration
Single
Fall Time
18 ns
Forward Transconductance - Min
2.6 S
Height
9.15 mm
Length
10.66 mm
Pd - Power Dissipation
150 W
Rise Time
15 ns
Series
IXTP3N120
Factory Pack Quantity
50
Transistor Type
1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time
32 ns
Typical Turn-On Delay Time
17 ns
Width
4.83 mm
Unit Weight
0.081130 oz
обновлено 2017-07-23 07:30:55
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 97766 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 174.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 6532 шт.

IXTP3N120%40IXYS