IXTH7P50

Купить со склада от 868,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 IXYS
Техническая документация:
PDF IXTH7P50@IXYS PDF даташит
IXTH7P50 фото 1 IXTH7P50 фото 1
IXTH7P50 фото 2 IXTH7P50 фото 2
IXTH7P50 фото 3 IXTH7P50 фото 3
IXTH7P50
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IXTH7P50
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Standard Package
30
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Manufacturer
IXYS
Series
-
Packaging
Tube
Part Status
Active
FET Type
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
500V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
7A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250ВµA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
130nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3400pF @ 25V
Vgs (Max)
В±20V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
180W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.5 Ohm @ 500mA, 10V
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-247 (IXTH)
Package Case
TO-247-3
обновлено 2017-07-09 07:16:06
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 97730 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 868.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 185 шт.

IXTH7P50%40IXYS