IXTH67N10

Купить со склада от 1126,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 IXYS
Техническая документация:
PDF IXTH67N10@IXYS PDF даташит
IXTH67N10 фото 1 IXTH67N10 фото 1
IXTH67N10 фото 2 IXTH67N10 фото 2
IXTH67N10 фото 3 IXTH67N10 фото 3
IXTH67N10
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IXTH67N10
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Standard Package
30
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Manufacturer
IXYS
Series
MegaMOS™
Packaging
Tube
Part Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
67A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
260nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4500pF @ 25V
Vgs (Max)
±20V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
25 mOhm @ 33.5A, 10V
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-247 (IXTH)
Package Case
TO-247-3
обновлено 2017-07-09 07:16:06
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 97725 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 1126.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 29 шт.

IXTH67N10%40IXYS