IXTH67N10

Купить со склада от 0,00 руб
Техническая документация:
PDF IXTH67N10@IXYS PDF даташит
Масса товара:
0 грамм
IXTH67N10 фото 1 IXTH67N10 фото 1
IXTH67N10 фото 2 IXTH67N10 фото 2
IXTH67N10 фото 3 IXTH67N10 фото 3
IXTH67N10
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IXTH67N10
Standard Package
30
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Manufacturer
IXYS
Series
MegaMOS™
Packaging
Tube
Part Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
67A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
260nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4500pF @ 25V
Vgs (Max)
±20V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
25 mOhm @ 33.5A, 10V
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-247 (IXTH)
Package Case
TO-247-3
обновлено 2017-03-05 09:03:53

Данный товар в настоящее время недоступен к поставке со складов.
Если Вы являетесь представителем организации, а товар необходим Вам для разработки или серийного производства, то мы проработаем возможность поставки для вас этого товара.
Для этого, пожалуйста, направьте заявку с указанием требуемого товара, его объемов и Ваших реквизитов на наш емайл zakaz@elitan.ru

IXTH67N10%40IXYS