IXTH50N20

Купить со склада от 830,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 IXYS
Техническая документация:
PDF IXTH50N20@IXYS PDF даташит
IXTH50N20 фото 1 IXTH50N20 фото 1
IXTH50N20 фото 2 IXTH50N20 фото 2
IXTH50N20 фото 3 IXTH50N20 фото 3
IXTH50N20
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IXTH50N20
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Standard Package
30
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Manufacturer
IXYS
Series
MegaMOSв„ў
Packaging
Tube
Part Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
50A (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250ВµA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
220nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4600pF @ 25V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
45 mOhm @ 25A, 10V
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-247 (IXTH)
Package Case
TO-247-3
обновлено 2017-07-09 07:16:06
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 97721 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 830.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 180 шт.

IXTH50N20%40IXYS