IXTH40N30

Купить со склада от 769,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 IXYS
Техническая документация:
PDF IXTH40N30@IXYS PDF даташит
IXTH40N30 фото 1 IXTH40N30 фото 1
IXTH40N30 фото 2 IXTH40N30 фото 2
IXTH40N30 фото 3 IXTH40N30 фото 3
IXTH40N30
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IXTH40N30
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Category
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Technology
MegaMOS
Channel Type
N
Number of Elements per Chip
1
Maximum Drain Source Voltage - (V)
300
Maximum Gate Source Voltage - (V)
?20
Maximum Continuous Drain Current - (A)
40
Material
Si
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm)
85@10V
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC)
190@10V
Typical Gate Charge @ 10V - (nC)
190
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF)
4600@25V
Maximum Power Dissipation - (mW)
300000
Minimum Operating Temperature - (?C)
-55
Maximum Operating Temperature - (?C)
150
Pin Count
3
Supplier Package
TO-247AD
Package Family Name
TO-247
Standard Package Name
TO-247
Life Cycle
NRND
Military Qualified
No
Automotive
Unknown
обновлено 2017-07-09 07:16:06
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 97719 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 769.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 413 шт.

IXTH40N30%40IXYS