IXTH24P20

Купить со склада от 689,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 IXYS
Техническая документация:
PDF IXTH24P20@IXYS PDF даташит
IXTH24P20 фото 1 IXTH24P20 фото 1
IXTH24P20 фото 2 IXTH24P20 фото 2
IXTH24P20 фото 3 IXTH24P20 фото 3
IXTH24P20
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IXTH24P20
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
MOSFET
Manufacturer
IXYS
RoHS
Details
Technology
Si
Mounting Style
Through Hole
Package Case
TO-247-3
Number of Channels
1 Channel
Transistor Polarity
P-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
- 200 V
Id - Continuous Drain Current
- 24 A
Rds On - Drain-Source Resistance
150 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage
20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
- 5 V
Qg - Gate Charge
150 nC
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Packaging
Tube
Channel Mode
Enhancement
Brand
IXYS
Configuration
Single
Fall Time
28 ns
Forward Transconductance - Min
10 S
Height
21.46 mm
Length
16.26 mm
Pd - Power Dissipation
300 W
Rise Time
29 ns
Series
IXTH24P20
Factory Pack Quantity
30
Transistor Type
1 P-Channel
Type
Standard Power MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time
68 ns
Typical Turn-On Delay Time
36 ns
Width
5.3 mm
Unit Weight
0.229281 oz
обновлено 2017-07-09 07:16:06
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 97715 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 689.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 126 шт.

IXTH24P20%40IXYS