IXTH21N50

Купить со склада от 698,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 IXYS
Техническая документация:
PDF IXTH21N50@IXYS PDF даташит
Масса товара:
0 грамм
IXTH21N50 фото 1 IXTH21N50 фото 1
IXTH21N50 фото 2 IXTH21N50 фото 2
IXTH21N50 фото 3 IXTH21N50 фото 3
IXTH21N50
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IXTH21N50
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Category
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Technology
MegaMOS
Channel Type
N
Number of Elements per Chip
1
Maximum Drain Source Voltage - (V)
500
Maximum Gate Source Voltage - (V)
?20
Maximum Continuous Drain Current - (A)
21
Material
Si
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm)
250@10V
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC)
160@10V
Typical Gate Charge @ 10V - (nC)
160
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF)
4200@25V
Maximum Power Dissipation - (mW)
300000
Minimum Operating Temperature - (?C)
-55
Maximum Operating Temperature - (?C)
150
Pin Count
3
Supplier Package
TO-247AD
Standard Package Name
TO-247
Package Family Name
TO-247
Life Cycle
NRND
Automotive
Unknown
обновлено 2017-03-05 09:03:53
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 97713 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 698.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 302 шт.

IXTH21N50%40IXYS