IXTH13N110

Купить со склада от 1455,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 IXYS
Техническая документация:
PDF IXTH13N110@IXYS PDF даташит
IXTH13N110 фото 1 IXTH13N110 фото 1
IXTH13N110 фото 2 IXTH13N110 фото 2
IXTH13N110
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IXTH13N110
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Category
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Number of Elements per Chip
1
Maximum Drain Source Voltage - (V)
1100
Maximum Gate Source Voltage - (V)
?20
Maximum Continuous Drain Current - (A)
13
Material
Si
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm)
920@10V
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC)
195@10V
Typical Gate Charge @ 10V - (nC)
195
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF)
5650@25V
Maximum Power Dissipation - (mW)
360000
Minimum Operating Temperature - (?C)
-55
Maximum Operating Temperature - (?C)
150
Pin Count
3
Supplier Package
TO-247AD
Package Family Name
TO-247
Standard Package Name
TO-247
Life Cycle
NRND
Automotive
Unknown
обновлено 2017-07-23 07:30:55
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 97706 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 1455.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 571 шт.

IXTH13N110%40IXYS