IXTH11P50

Купить со склада от 387,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 IXYS
Техническая документация:
PDF IXTH11P50@IXYS PDF даташит
IXTH11P50 фото 1 IXTH11P50 фото 1
IXTH11P50 фото 2 IXTH11P50 фото 2
IXTH11P50 фото 3 IXTH11P50 фото 3
IXTH11P50
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IXTH11P50
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
MOSFET
Manufacturer
IXYS
RoHS
Details
Technology
Si
Mounting Style
Through Hole
Package Case
TO-247-3
Number of Channels
1 Channel
Transistor Polarity
P-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
- 500 V
Id - Continuous Drain Current
- 11 A
Rds On - Drain-Source Resistance
750 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage
20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
- 0.122 V
Qg - Gate Charge
130 nC
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Packaging
Tube
Channel Mode
Enhancement
Brand
IXYS
Configuration
Single
Fall Time
35 ns
Forward Transconductance - Min
5 S
Height
21.46 mm
Length
16.26 mm
Pd - Power Dissipation
300 W
Rise Time
27 ns
Series
IXTH11P50
Factory Pack Quantity
30
Transistor Type
1 P-Channel
Type
Standard Power MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time
35 ns
Typical Turn-On Delay Time
33 ns
Width
5.3 mm
Unit Weight
0.229281 oz
обновлено 2017-07-09 07:16:06
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 97702 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 387.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 1311 шт.

IXTH11P50%40IXYS