IXTH10P60

Купить со склада от 425,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 IXYS
Техническая документация:
PDF IXTH10P60@IXYS PDF даташит
IXTH10P60 фото 1 IXTH10P60 фото 1
IXTH10P60 фото 2 IXTH10P60 фото 2
IXTH10P60 фото 3 IXTH10P60 фото 3
IXTH10P60
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IXTH10P60
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
MOSFET
Manufacturer
IXYS
RoHS
Details
Technology
Si
Mounting Style
Through Hole
Package Case
TO-247-3
Number of Channels
1 Channel
Transistor Polarity
P-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
- 600 V
Id - Continuous Drain Current
- 10 A
Rds On - Drain-Source Resistance
1 Ohms
Vgs - Gate-Source Voltage
20 V
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Packaging
Tube
Channel Mode
Enhancement
Brand
IXYS
Configuration
Single
Fall Time
35 ns
Forward Transconductance - Min
9 S
Height
21.46 mm
Length
16.26 mm
Pd - Power Dissipation
300 W
Rise Time
27 ns
Series
IXTH10P60
Factory Pack Quantity
30
Transistor Type
1 P-Channel
Typical Turn-Off Delay Time
85 ns
Typical Turn-On Delay Time
33 ns
Width
5.3 mm
Unit Weight
0.229281 oz
обновлено 2017-07-23 07:30:55
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 97701 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 425.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 1578 шт.

IXTH10P60%40IXYS