Товаров: 5 086 371 от 3240
изготовителей. Прайс обновлен: 2024-04-19 01:38
IXTA3N120
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1,2кВ; 3А; 200Вт; TO263; 700нс
Техническая документация:
Другие
названия этого товара:
названия этого товара:
Анализ рынка IXTA3N120@LITFUSE - доступность и цена со складов и из производства:
Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
(р.д.)
Наличие,
шт.
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
опт
Склад
Склад
Склад
Склад
Склад
Склад
Технические характеристики IXTA3N120
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
MOSFET
Manufacturer
IXYS
RoHS
Details
Technology
Si
Mounting Style
SMDSMT
Package Case
TO-263-3
Number of Channels
1 Channel
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
1100 V
Id - Continuous Drain Current
3 A
Rds On - Drain-Source Resistance
4.5 Ohms
Vgs - Gate-Source Voltage
20 V
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Packaging
Tube
Channel Mode
Enhancement
Brand
IXYS
Configuration
Single
Fall Time
18 ns
Forward Transconductance - Min
2.6 S
Height
4.83 mm
Length
10.41 mm
Pd - Power Dissipation
150 W
Rise Time
15 ns
Series
IXTA3N120
Factory Pack Quantity
50
Transistor Type
1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time
32 ns
Typical Turn-On Delay Time
17 ns
Width
9.65 mm
Unit Weight
0.056438 oz
обновлено 19-04-2024
IXTA3N120%40LITFUSE