SIR846ADP

MOSFET, N-CH, 100V, PPAK-SO8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:60A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.0065ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.8V; Powe

Worldwide (495)649-84-45 Vishay Intertechnology
Техническая документация:
Другие
названия этого товара:
SIR846ADP

Анализ рынка SIR846ADP@VISHAY - доступность и цена со складов и из производства:

Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
Наличие,
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 

Технические характеристики SIR846ADP

Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Manufacturer
Vishay Siliconix
Series
TrenchFETВ®
Packaging
Cut Tape (CT)
Part Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
60A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250ВµA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
66nC @ 10V
Vgs (Max)
В±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2350pF @ 50V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
5.4W (Ta), 83W (Tc)
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PowerPAKВ® SO-8
Package Case
PowerPAKВ® SO-8
обновлено 24-03-2024
SIR846ADP%40VISHAY