IXGH32N170A

Купить со склада от 893,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 IXYS
Техническая документация:
PDF IXGH32N170A@IXYS PDF даташит
Масса товара:
0 грамм
IXGH32N170A фото 1 IXGH32N170A фото 1
IXGH32N170A фото 2 IXGH32N170A фото 2
IXGH32N170A фото 3 IXGH32N170A фото 3
IXGH32N170A
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IXGH32N170A
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Manufacturer
IXYS
Product Category
IGBT Transistors
RoHS
Details
Brand
IXYS
Configuration
Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1.7 kV
Collector-Emitter Saturation Voltage
4 V
Maximum Gate Emitter Voltage
+- 20 V
Continuous Collector Current at 25 C
32 A
Gate-Emitter Leakage Current
100 nA
Power Dissipation
350 W
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Package Case
TO-247-3
Packaging
Tube
Continuous Collector Current Ic Max
110 A
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Mounting Style
Through Hole
Series
IXGH32N170
Factory Pack Quantity
30
Unit Weight
0.229281 oz
обновлено 2017-03-05 09:03:53
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 97503 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 893.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 1120 шт.

IXGH32N170A%40IXYS