IXFX55N50

Купить со склада от 1758,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 IXYS
Масса товара:
0 грамм
IXFX55N50 фото 1 IXFX55N50 фото 1
IXFX55N50 фото 2 IXFX55N50 фото 2
IXFX55N50 фото 3 IXFX55N50 фото 3
IXFX55N50
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IXFX55N50
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
MOSFET
Manufacturer
IXYS
RoHS
Details
Technology
Si
Mounting Style
Through Hole
Package Case
TO-247-3
Number of Channels
1 Channel
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
500 V
Id - Continuous Drain Current
55 A
Rds On - Drain-Source Resistance
80 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage
20 V
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Packaging
Tube
Channel Mode
Enhancement
Tradename
HyperFET
Brand
IXYS
Configuration
Single
Fall Time
45 ns
Forward Transconductance - Min
45 S
Height
21.34 mm
Length
16.13 mm
Pd - Power Dissipation
560 W
Rise Time
60 ns
Series
IXFX55N50
Factory Pack Quantity
30
Transistor Type
1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time
120 ns
Typical Turn-On Delay Time
45 ns
Width
5.21 mm
Unit Weight
0.257500 oz
обновлено 2017-03-05 09:03:53
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 97435 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 1758.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 199 шт.

IXFX55N50%40IXYS