IXFX50N50

Купить со склада от 0,00 руб
IXFX50N50 фото 1 IXFX50N50 фото 1
IXFX50N50 фото 2 IXFX50N50 фото 2
IXFX50N50 фото 3 IXFX50N50 фото 3
IXFX50N50
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IXFX50N50
Configuration
Single
Process Technology
HiperFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Number of Elements per Chip
1
Maximum Drain Source Voltage - (V)
500
Maximum Gate Source Voltage - (V)
?20
Maximum Continuous Drain Current - (A)
50
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm)
100@10V
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC)
330@10V
Typical Gate Charge @ 10V - (nC)
330
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF)
9400@25V
Maximum Power Dissipation - (mW)
520000
Operating Temperature - (?C)
-55~150
Pin Count
3
Supplier Package
PLUS 247
Standard Package Name
PLUS 247
Automotive
Unknown
обновлено 2017-07-09 07:16:05

Данный товар в настоящее время недоступен к поставке со складов.
Если Вы являетесь представителем организации, а товар необходим Вам для разработки или серийного производства, то мы проработаем возможность поставки для вас этого товара.
Для этого, пожалуйста, направьте заявку с указанием требуемого товара, его объемов и Ваших реквизитов на наш емайл zakaz@elitan.ru

IXFX50N50%40IXYS