IXFT58N20Q

Купить со склада от 0,00 руб
Техническая документация:
PDF IXFT58N20Q@IXYS PDF даташит
Масса товара:
0 грамм
IXFT58N20Q фото 1 IXFT58N20Q фото 1
IXFT58N20Q фото 2 IXFT58N20Q фото 2
IXFT58N20Q фото 3 IXFT58N20Q фото 3
IXFT58N20Q
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IXFT58N20Q
Category
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Technology
HiperFET
Channel Type
N
Number of Elements per Chip
1
Maximum Drain Source Voltage - (V)
200
Maximum Gate Source Voltage - (V)
?20
Maximum Continuous Drain Current - (A)
58
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm)
40@10V
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC)
98@10V
Typical Gate Charge @ 10V - (nC)
98
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF)
3600@25V
Maximum Power Dissipation - (mW)
300000
Minimum Operating Temperature - (?C)
-55
Maximum Operating Temperature - (?C)
150
Pin Count
3
Supplier Package
TO-268
Package Family Name
TO-268-AA
Standard Package Name
TO-268-AA
Life Cycle
NRND
Automotive
Unknown
обновлено 2017-03-05 09:03:53

Данный товар в настоящее время недоступен к поставке со складов.
Если Вы являетесь представителем организации, а товар необходим Вам для разработки или серийного производства, то мы проработаем возможность поставки для вас этого товара.
Для этого, пожалуйста, направьте заявку с указанием требуемого товара, его объемов и Ваших реквизитов на наш емайл zakaz@elitan.ru

IXFT58N20Q%40IXYS