IXFT32N50Q

Купить со склада от 1292,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 IXYS
Техническая документация:
PDF IXFT32N50Q@IXYS PDF даташит
Масса товара:
0 грамм
IXFT32N50Q фото 1 IXFT32N50Q фото 1
IXFT32N50Q фото 2 IXFT32N50Q фото 2
IXFT32N50Q
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IXFT32N50Q
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Category
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Technology
HiperFET
Channel Type
N
Number of Elements per Chip
1
Maximum Drain Source Voltage - (V)
500
Maximum Gate Source Voltage - (V)
?20
Maximum Continuous Drain Current - (A)
32
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm)
160@10V
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC)
153@10V
Typical Gate Charge @ 10V - (nC)
153
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF)
3950@25V
Maximum Power Dissipation - (mW)
416000
Minimum Operating Temperature - (?C)
-55
Maximum Operating Temperature - (?C)
150
Pin Count
3
Supplier Package
TO-268
Standard Package Name
TO-268-AA
Life Cycle
NRND
Automotive
Unknown
обновлено 2017-03-05 09:03:53
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 97390 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 1292.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 210 шт.

IXFT32N50Q%40IXYS