IXFR90N30

Купить со склада от 1372,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 IXYS
Техническая документация:
PDF IXFR90N30@IXYS PDF даташит
IXFR90N30 фото 1 IXFR90N30 фото 1
IXFR90N30 фото 2 IXFR90N30 фото 2
IXFR90N30 фото 3 IXFR90N30 фото 3
IXFR90N30
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IXFR90N30
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
MOSFET
Manufacturer
IXYS
RoHS
Details
Technology
Si
Mounting Style
Through Hole
Package Case
TO-247-3
Number of Channels
1 Channel
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
300 V
Id - Continuous Drain Current
75 A
Rds On - Drain-Source Resistance
36 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage
20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
4.5 V
Qg - Gate Charge
360 nC
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Packaging
Tube
Channel Mode
Enhancement
Tradename
HyperFET
Brand
IXYS
Configuration
Single
Fall Time
40 ns
Forward Transconductance - Min
40 S
Height
21.34 mm
Length
16.13 mm
Pd - Power Dissipation
417 W
Rise Time
55 ns
Series
IXFR90N30
Factory Pack Quantity
30
Transistor Type
1 N-Channel
Type
HiPerFET Power MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time
100 ns
Typical Turn-On Delay Time
42 ns
Width
5.21 mm
Unit Weight
0.056438 oz
обновлено 2017-07-27 11:00:17
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 97363 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 1372.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 25 шт.

IXFR90N30%40IXYS