IXFR180N10

Купить со склада от 0,00 руб
Техническая документация:
PDF IXFR180N10@IXYS PDF даташит
IXFR180N10 фото 1 IXFR180N10 фото 1
IXFR180N10 фото 2 IXFR180N10 фото 2
IXFR180N10 фото 3 IXFR180N10 фото 3
IXFR180N10
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IXFR180N10
Manufacturer
IXYS
Product Category
MOSFETs
RoHS
Product
General Purpose MOSFETs
Configuration
Single
Transistor Polarity
N-Channel
Package Case
ISOPLUS 247
Drain-Source Breakdown Voltage
100 V
Continuous Drain Current
165 A
Power Dissipation
400000 mW
Forward Transconductance gFS (Max Min)
90 s
Resistance Drain-Source RDS (on)
0.008 Ohm @ 10 V
Typical Fall Time
65 ns
Typical Rise Time
90 ns
Typical Turn-Off Delay Time
140 ns
Packaging
Tube
Gate-Source Breakdown Voltage
20 V
Maximum Operating Temperature
150 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
обновлено 2017-07-23 07:30:55

Данный товар в настоящее время недоступен к поставке со складов.
Если Вы являетесь представителем организации, а товар необходим Вам для разработки или серийного производства, то мы проработаем возможность поставки для вас этого товара.
Для этого, пожалуйста, направьте заявку с указанием требуемого товара, его объемов и Ваших реквизитов на наш емайл zakaz@elitan.ru

IXFR180N10%40IXYS