IXFN80N50

Купить со склада от 2463,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 IXYS
Техническая документация:
PDF IXFN80N50@IXYS PDF даташит
Аналоги товара:
Масса товара:
0 грамм
IXFN80N50 фото 1 IXFN80N50 фото 1
IXFN80N50 фото 2 IXFN80N50 фото 2
IXFN80N50 фото 3 IXFN80N50 фото 3
IXFN80N50
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IXFN80N50
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Category
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Technology
HiperFET
Channel Type
N
Number of Elements per Chip
1
Maximum Drain Source Voltage - (V)
500
Maximum Gate Source Voltage - (V)
?20
Maximum Continuous Drain Current - (A)
80
Material
Si
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm)
55@10V
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC)
380@10V
Typical Gate Charge @ 10V - (nC)
380
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF)
9890@25V
Maximum Power Dissipation - (mW)
780000
Minimum Operating Temperature - (?C)
-55
Maximum Operating Temperature - (?C)
150
Pin Count
4
Supplier Package
SOT-227B
Package Family Name
SOT
Standard Package Name
SOT
Life Cycle
NRND
Military Qualified
No
Automotive
Unknown
обновлено 2017-03-05 09:03:53
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 97326 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 2463.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 3599 шт.

IXFN80N50%40IXYS