IXFN80N50

Купить со склада от 2674,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 IXYS
Техническая документация:
PDF IXFN80N50@IXYS PDF даташит
Аналоги товара:
IXFN80N50 фото 1 IXFN80N50 фото 1
IXFN80N50 фото 2 IXFN80N50 фото 2
IXFN80N50 фото 3 IXFN80N50 фото 3
IXFN80N50
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IXFN80N50
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
MOSFET
Manufacturer
IXYS
RoHS
Details
Technology
Si
Mounting Style
Chassis Mount
Package Case
SOT-227-4
Number of Channels
1 Channel
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
500 V
Id - Continuous Drain Current
80 A
Rds On - Drain-Source Resistance
55 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage
20 V
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Packaging
Tube
Channel Mode
Enhancement
Tradename
HyperFET
Brand
IXYS
Configuration
Single Dual Source
Fall Time
27 ns
Forward Transconductance - Min
70 S
Height
9.6 mm
Length
38.23 mm
Pd - Power Dissipation
780 W
Rise Time
70 ns
Series
IXFN80N50
Factory Pack Quantity
10
Transistor Type
1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time
102 ns
Typical Turn-On Delay Time
61 ns
Width
25.42 mm
Unit Weight
1.340411 oz
обновлено 2017-07-09 07:16:05
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 97326 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 2674.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 3357 шт.

IXFN80N50%40IXYS