IXFN80N50

Модуль, одиночный транзистор, 500В, 80А, SOT227B, Ugs ±40В, 694Вт

Worldwide (495)649-84-45 Littelfuse
Техническая документация:
IXFN80N50

Анализ рынка IXFN80N50@LITFUSE - доступность и цена со складов и из производства:

Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
Наличие,
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 

Технические характеристики IXFN80N50

Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Manufacturer
IXYS
Product Category
MOSFET
RoHS
Details
Technology
Si
Mounting Style
Screw Mount
Package Case
SOT-227-4
Number of Channels
1 Channel
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
500 V
Id - Continuous Drain Current
80 A
Rds On - Drain-Source Resistance
55 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage
20 V
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Configuration
Single Dual Source
Channel Mode
Enhancement
Tradename
HyperFET
Packaging
Tube
Height
9.6 mm
Length
38.23 mm
Series
IXFN80N50
Transistor Type
1 N-Channel
Width
25.42 mm
Brand
IXYS
Forward Transconductance - Min
70 S
Fall Time
27 ns
Pd - Power Dissipation
780 W
Rise Time
70 ns
Factory Pack Quantity
10
Typical Turn-Off Delay Time
102 ns
Typical Turn-On Delay Time
61 ns
Unit Weight
1.058219 oz
обновлено 24-03-2024
IXFN80N50%40LITFUSE