IXFN60N60

Купить со склада от 2924,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 IXYS
Техническая документация:
PDF IXFN60N60@IXYS PDF даташит
Масса товара:
0 грамм
IXFN60N60 фото 1 IXFN60N60 фото 1
IXFN60N60 фото 2 IXFN60N60 фото 2
IXFN60N60 фото 3 IXFN60N60 фото 3
IXFN60N60
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IXFN60N60
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
MOSFET
Manufacturer
IXYS
RoHS
Details
Technology
Si
Mounting Style
Chassis Mount
Package Case
SOT-227-4
Number of Channels
1 Channel
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
600 V
Id - Continuous Drain Current
60 A
Rds On - Drain-Source Resistance
75 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage
20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
4.5 V
Qg - Gate Charge
380 nC
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Packaging
Tube
Channel Mode
Enhancement
Tradename
HyperFET
Brand
IXYS
Configuration
Single Dual Source
Fall Time
26 ns
Forward Transconductance - Min
40 S
Height
12.22 mm
Length
38.23 mm
Pd - Power Dissipation
700 W
Rise Time
52 ns
Series
IXFN60N60
Factory Pack Quantity
10
Transistor Type
1 N-Channel
Type
HiPerFET Power MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time
110 ns
Typical Turn-On Delay Time
43 ns
Width
25.42 mm
Unit Weight
1.340411 oz
обновлено 2017-03-05 09:03:53
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 97322 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 2924.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 110 шт.

IXFN60N60%40IXYS