IXFN55N50F
MOSFET N-CH 500V 55A SOT227B
Техническая документация:
Аналоги товара:
Анализ рынка IXFN55N50F@LITFUSE - доступность и цена со складов и из производства:
Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
(р.д.)
Наличие,
шт.
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
опт
Склад
Склад
Склад
Склад
Склад
Склад
Технические характеристики IXFN55N50F
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Manufacturer
IXYS-RF
Series
HiPerRFв„ў
Packaging
Tube
Part Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
500V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
55A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
85 mOhm @ 27.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 8mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
195nC @ 10V
Vgs (Max)
В±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
6700pF @ 25V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
600W (Tc)
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Mounting Type
Chassis Mount
Supplier Device Package
SOT-227B
Package Case
SOT-227-4, miniBLOC
обновлено 19-04-2024
IXFN55N50F%40LITFUSE