IXFN55N50

Купить со склада от 12246,00 руб

Модуль, одиночный транзистор, Uds 500В, Id 55А, SOT227B, 625Вт

Worldwide (495)649-84-45 Littelfuse
Техническая документация:
IXFN55N50

Анализ рынка IXFN55N50@LITFUSE - доступность и цена со складов и из производства:

Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
Наличие,
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
Склад
32
9
от 5
12 246,00 p
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 

Технические характеристики IXFN55N50

Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
MOSFET
Manufacturer
IXYS
RoHS
Details
Technology
Si
Mounting Style
SMDSMT
Package Case
SOT-227-4
Number of Channels
1 Channel
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
500 V
Id - Continuous Drain Current
55 A
Rds On - Drain-Source Resistance
90 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage
20 V
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Packaging
Tube
Channel Mode
Enhancement
Brand
IXYS
Configuration
Single
Fall Time
45 ns
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Pd - Power Dissipation
625 W
Rise Time
60 ns
Series
IXFN55N50
Factory Pack Quantity
10
Tradename
HyperFET
Transistor Type
1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time
120 ns
Typical Turn-On Delay Time
45 ns
Unit Weight
1.340411 oz
обновлено 20-04-2024
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 97320 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 12246.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 9 шт.

IXFN55N50%40LITFUSE