IXFN44N80

Купить со склада от 4459,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 IXYS
Техническая документация:
PDF IXFN44N80@IXYS PDF даташит
Масса товара:
0 грамм
IXFN44N80 фото 1 IXFN44N80 фото 1
IXFN44N80 фото 2 IXFN44N80 фото 2
IXFN44N80 фото 3 IXFN44N80 фото 3
IXFN44N80
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IXFN44N80
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Category
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Technology
HiperFET
Channel Type
N
Number of Elements per Chip
1
Maximum Drain Source Voltage - (V)
800
Maximum Gate Source Voltage - (V)
?20
Maximum Continuous Drain Current - (A)
44
Material
Si
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm)
165@10V
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC)
380@10V
Typical Gate Charge @ 10V - (nC)
380
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF)
10000@25V
Maximum Power Dissipation - (mW)
700000
Operating Temperature - (?C)
-55~150
Pin Count
4
Supplier Package
SOT-227B
Standard Package Name
SOT
Life Cycle
NRND
Military Qualified
No
Automotive
Unknown
обновлено 2017-03-05 09:03:53
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 97313 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 4459.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 66 шт.

IXFN44N80%40IXYS