IXFN27N80

Купить со склада от 2775,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 IXYS
Техническая документация:
PDF IXFN27N80@IXYS PDF даташит
IXFN27N80 фото 1 IXFN27N80 фото 1
IXFN27N80 фото 2 IXFN27N80 фото 2
IXFN27N80 фото 3 IXFN27N80 фото 3
IXFN27N80
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IXFN27N80
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Standard Package
10
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Manufacturer
IXYS
Series
HiPerFET™
Packaging
Tube
Part Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
27A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 8mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
400nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
9740pF @ 25V
Vgs (Max)
±20V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
520W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
300 mOhm @ 13.5A, 10V
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Chassis Mount
Supplier Device Package
SOT-227B
Package Case
SOT-227-4, miniBLOC
обновлено 2017-07-09 07:16:05
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 97297 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 2775.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 54 шт.

IXFN27N80%40IXYS