IXFK73N30

Купить со склада от 0,00 руб
Техническая документация:
PDF IXFK73N30@IXYS PDF даташит
IXFK73N30 фото 1 IXFK73N30 фото 1
IXFK73N30 фото 2 IXFK73N30 фото 2
IXFK73N30 фото 3 IXFK73N30 фото 3
IXFK73N30
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IXFK73N30
Standard Package
25
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Manufacturer
IXYS
Series
HiPerFETв„ў
Packaging
Tube
Part Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
300V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
73A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 8mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
360nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
9000pF @ 25V
Vgs (Max)
В±20V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
45 mOhm @ 500mA, 10V
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-264AA (IXFK)
Package Case
TO-264-3, TO-264AA
обновлено 2017-07-27 11:00:17

Данный товар в настоящее время недоступен к поставке со складов.
Если Вы являетесь представителем организации, а товар необходим Вам для разработки или серийного производства, то мы проработаем возможность поставки для вас этого товара.
Для этого, пожалуйста, направьте заявку с указанием требуемого товара, его объемов и Ваших реквизитов на наш емайл zakaz@elitan.ru

IXFK73N30%40IXYS