IXFK180N10

Купить со склада от 1297,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 IXYS
Техническая документация:
PDF IXFK180N10@IXYS PDF даташит
IXFK180N10 фото 1 IXFK180N10 фото 1
IXFK180N10 фото 2 IXFK180N10 фото 2
IXFK180N10 фото 3 IXFK180N10 фото 3
IXFK180N10
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IXFK180N10
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
MOSFET
Manufacturer
IXYS
RoHS
Details
Technology
Si
Mounting Style
Through Hole
Package Case
TO-264-3
Number of Channels
1 Channel
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
100 V
Id - Continuous Drain Current
180 A
Rds On - Drain-Source Resistance
8 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage
20 V
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Packaging
Tube
Channel Mode
Enhancement
Tradename
HyperFET
Brand
IXYS
Configuration
Single
Fall Time
65 ns
Forward Transconductance - Min
90 S
Height
26.16 mm
Length
19.96 mm
Pd - Power Dissipation
560 W
Rise Time
90 ns
Series
IXFK180N10
Factory Pack Quantity
25
Transistor Type
1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time
140 ns
Typical Turn-On Delay Time
50 ns
Width
5.13 mm
Unit Weight
0.352740 oz
обновлено 2017-07-23 07:30:55
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 97225 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 1297.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 282 шт.

IXFK180N10%40IXYS