IXFK180N10

Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA

Worldwide (495)649-84-45 Littelfuse
Техническая документация:
IXFK180N10

Анализ рынка IXFK180N10@LITFUSE - доступность и цена со складов и из производства:

Источник
Срок (р.д.)
Наличие, шт.
Опт, шт.
Цена опт
Источник
Срок
(р.д.)
Наличие,
шт.
Опт, шт.
Цена
опт
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 
Склад
 

Технические характеристики IXFK180N10

Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Product Category
MOSFET
Manufacturer
IXYS
RoHS
Details
Technology
Si
Mounting Style
Through Hole
Package Case
TO-264-3
Number of Channels
1 Channel
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
100 V
Id - Continuous Drain Current
180 A
Rds On - Drain-Source Resistance
8 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage
20 V
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Packaging
Tube
Channel Mode
Enhancement
Tradename
HyperFET
Brand
IXYS
Configuration
Single
Fall Time
65 ns
Forward Transconductance - Min
90 S
Height
26.16 mm
Length
19.96 mm
Pd - Power Dissipation
560 W
Rise Time
90 ns
Series
IXFK180N10
Factory Pack Quantity
25
Transistor Type
1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time
140 ns
Typical Turn-On Delay Time
50 ns
Width
5.13 mm
Unit Weight
0.352740 oz
обновлено 20-04-2024
IXFK180N10%40LITFUSE