IXFK120N20

Купить со склада от 1309,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 IXYS
Техническая документация:
PDF IXFK120N20@IXYS PDF даташит
Масса товара:
0 грамм
IXFK120N20 фото 1 IXFK120N20 фото 1
IXFK120N20 фото 2 IXFK120N20 фото 2
IXFK120N20 фото 3 IXFK120N20 фото 3
IXFK120N20
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IXFK120N20
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Category
Power MOSFET
Technology
HiperFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Number of Elements per Chip
1
Maximum Drain Source Voltage - (V)
200
Maximum Gate Source Voltage - (V)
?20
Maximum Continuous Drain Current - (A)
120
Material
Si
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm)
17@10V
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC)
300@10V
Typical Gate Charge @ 10V - (nC)
300
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF)
9100@25V
Maximum Power Dissipation - (mW)
560000
Minimum Operating Temperature - (?C)
-55
Maximum Operating Temperature - (?C)
150
Pin Count
3
Supplier Package
TO-264AA
Life Cycle
NRND
Automotive
Unknown
обновлено 2017-03-05 09:03:53
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 97219 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 1309.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 328 шт.

IXFK120N20%40IXYS