IXFH6N100F

Купить со склада от 710,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 IXYS
Техническая документация:
PDF IXFH6N100F@IXYS PDF даташит
IXFH6N100F фото 1 IXFH6N100F фото 1
IXFH6N100F фото 2 IXFH6N100F фото 2
IXFH6N100F фото 3 IXFH6N100F фото 3
IXFH6N100F
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IXFH6N100F
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Standard Package
30
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Manufacturer
IXYS
Series
HiPerRFв„ў
Packaging
Tube
Part Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
1000V (1kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 2.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
54nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1770pF @ 25V
Vgs (Max)
В±20V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
180W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.9 Ohm @ 3A, 10V
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-247 (IXFH)
Package Case
TO-247-3
обновлено 2017-07-09 07:16:05
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 97195 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 710.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 115 шт.

IXFH6N100F%40IXYS