IXFH6N100

Купить со склада от 0,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 IXYS
Техническая документация:
PDF IXFH6N100@IXYS PDF даташит
Масса товара:
0 грамм
IXFH6N100 фото 1 IXFH6N100 фото 1
IXFH6N100 фото 2 IXFH6N100 фото 2
IXFH6N100 фото 3 IXFH6N100 фото 3
IXFH6N100
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IXFH6N100
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Manufacturer
IXYS
Product Category
MOSFET
RoHS
Details
Brand
IXYS
Id - Continuous Drain Current
6 A
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
1 kV
Rds On - Drain-Source Resistance
2 Ohms
Transistor Polarity
N-Channel
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage
20 V
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Pd - Power Dissipation
180 W
Mounting Style
Through Hole
Package Case
TO-247-3
Packaging
Tube
Channel Mode
Enhancement
Configuration
Single
Fall Time
60 ns
Forward Transconductance - Min
6 S
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Rise Time
40 ns
Series
IXFH6N100
Factory Pack Quantity
30
Typical Turn-Off Delay Time
100 ns
Unit Weight
0.229281 oz
обновлено 2017-03-05 09:03:53
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 97194 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 0.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 878 шт.

IXFH6N100%40IXYS