IXFH58N20

Купить со склада от 642,00 руб
Worldwide (495)649-84-45 IXYS
Техническая документация:
PDF IXFH58N20@IXYS PDF даташит
IXFH58N20 фото 1 IXFH58N20 фото 1
IXFH58N20 фото 2 IXFH58N20 фото 2
IXFH58N20 фото 3 IXFH58N20 фото 3
IXFH58N20
1 партия
2 партии
3 партии
4 партии
5 партий и более
Технические характеристики IXFH58N20
Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя
Standard Package
30
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Manufacturer
IXYS
Series
HiPerFETв„ў
Packaging
Tube
Part Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
58A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
220nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4400pF @ 25V
Vgs (Max)
В±20V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
40 mOhm @ 29A, 10V
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-247AD (IXFH)
Package Case
TO-247-3
обновлено 2017-07-09 07:16:05
Москва +7-495-649-84-45 Элитан ООО Элитан Трейд 97189 RU 1 DAY

Вы можее заказать товар с различных складов, см. ниже:

Минимальная цена: 642.00RUB руб. Купить

Доступное количество: 514 шт.

IXFH58N20%40IXYS